首先，国网利用主成分分析法（PCA）对铁电磁滞回线进行降噪处理，国网降噪后的磁滞曲线由（图3-7）黑线所示，能够很好的拟合磁滞回线所有结构特征，解决了传统15参数函数拟合精度不够的问题（图3-7）红色。

（1）表面电子结构在不同的晶体表面，重庆字化表面原子排列不同，导致表面电子结构的差异。3晶面的各向异性由于各晶面原子排列的不同，电力的数半导体晶体表现出独特的晶面各向异性，电力的数包括各向异性表面电子结构、各向异性氧化还原反应位点、各向异性表面内置电场、各向异性光反应活性、各向异性光腐蚀。

例如，初步SRSPS在研究由{010}和{011}晶面包覆的BiVO4晶体显示，初步{011}面具有比{010}面更强的表面光电压(SPV)信号强度大，表明SCR的表面带弯曲与{011}面中的SCR的表面带弯与{010}面相比具有显著差异。自从TiO2晶面控制合成去的重大突破之后，建成TiO2等半导体的晶面工程在光催化等方面的应用已经得到了广泛的研究。图1.在半导体/衬底界面，用户ϕmϕs和ϕmϕs下的带弯[1]   在光阳极的半导体/衬底界面上，由于n型半导体与导电基片的费米能级不同，发生电荷转移。

虽然研究人员合成了具有高反应活性面的半导体，体系但采用原位制备的光电极PEC性能仍然不高，这可能是由于半导体材料与导电衬底接触不良所致。表面活性不仅由表面能决定，国网而且由表面原子结构决定。

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